なぜレーザーはんだ付け用の赤外線半導体レーザーを選択してください

近年、市場需要は技術の発展を推進しています。今日、電子製品がますます洗練されているとき、伝統的なはんだ付けアイアン溶接と波はんだ付けはもはやすべての電子製品の溶接を満たすことができなくなる可能性があります。レーザーはんだ付けは、その非接触溶接のためです。より多くの溶接空間に適応することができ、優れた電気光学効率変換および微細エネルギー制御は、電子アセンブリリンクにますます適用されている。レーザーの種類はたくさんあります。赤外線半導体レーザ波長904 -940nmレーザーはんだ付けに選択され、電力は一般的に5~200Wです。

半導体レーザの原理

半導体レーザは、作用物質としてある程度の半導体材料を用いてレーザ光を発生する装置である。 。その作用原理は、半導体材料のエネルギーバンド（伝導帯および原子価バンド）間の非平衡電流を実現することであり、ある程度の励起法を通して半導体材料のエネルギー帯と不純物のエネルギーレベル（アクセプターまたはドナー）の間で実現することである。粒子数が反転する。集団反転の状態の多数の電子および穴が再結合したとき、刺激放出が起こる。半導体レーザ、すなわち電気注入、光ポンピング、高エネルギー電子ビーム励起には3つの主な励起方法があります。電気注入半導体レーザは、一般に、ガリウム砒素（GaAs）、硫化カドミウム（CdS）、リン化インジウム（InP）、硫化亜鉛（ZnS）、および順方向バイアスされた他の材料からなる半導体表面接合ダイオードである。接合面内で刺激された放出が起こります。

半導体レーザの利点

半導体レーザの光電効率はファイバレーザよりも有利である。半導体ダイオードレーザは非常に実用的で重要なタイプのレーザーです。小さく、寿命が長く、単純な注入電流で汲み上げることができます。その作用電圧と電流は集積回路と互換性がありますので、モノリシックに統合できます。そして、高速変調レーザー出力を得るために、GHzまでの周波数で電流を直接変調することができます。これらの利点により、半導体ダイオードレーザは、レーザ通信、光学記憶、光学ジャイロスコープ、レーザ印刷、レンジングおよびレーダにおいて広く使用されてきた。

さらに、その連続出力波長は、可視光に対する赤外線の範囲をカバーし、光パルス出力は最大50W（帯域幅100ns）であり、これはレーザはんだ付けに使用される半導体レーザにとって理想的な選択である。半導体赤外線レーザは一般にレーザはんだ付けに使用され、それらのほとんどは915nm + 5nmの波長のレーザである。それは近赤外バンドに属し、そして良好な熱効果を有する。その独特のビームの均一性とレーザーエネルギーの連続性はパッドに対して均一です。加熱および急速加熱効果は顕著である。それは、高い溶接効率、溶接位置の正確な制御、およびはんだ接合部の良好な一貫性の利点を有する。小型電子部品、複雑な構造回路基板、PCB板の精密溶接に非常に適しています。

レーザーはんだ付け機の利点

温度閉ループ制御システムは、はんだの品質を監視および制御するために使用されます。高度なレーザーはんだ付け装置は、リアルタイム温度検出装置を備えています。はんだ接合部の温度は赤外線センサーを介してリアルタイムで検出され、アナログデジタル変換は温度変化によって制御コンピュータに送られます。状況は、はんだ接合部の形成過程を監視するか、またははんだ接合部の形成と品質を制御するためにリアルタイムでレーザパワーを変化させる。温度が高すぎると、デバイスのリードが燃焼しないように、レーザー出力を直ちに遮断することができます。画像モニタは、溶接プロセスと同様にレーザおよびリードおよびリードの位置を観察し、半田付けプロセスの写真を記録または撮影することができる。レーザの出力電力は制御コンピュータによって設定され、加熱エネルギーの精度を確保するようにプログラムすることができる。