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VCSELレーザー

数ブラウズ:1     著者:サイトエディタ     公開された: 2022-01-20      起源:パワード

VCSELレーザー

VCSELのフルネームは垂直共振器型表面発光レーザであり、その一種である。半導体レーザー。現在、ほとんどのVCSELはガリウム砒素半導体に基づいており、発光波長は主に近赤外バンド。基板の表面に垂直なレーザ光を発するレーザである。複数のレーザを基板上の複数の方向に配置して、平行光源またはエリアアレイ光源を形成することができる。光ファイバ通信または光学センシングの分野における主光源の1つである。

VCSELの作業原理

VCSELは一種の半導体レーザーです。その動作原理は、他の半導体レーザの実質的なものと本質的に同じであるが、レーザ出力面とエッジエミッション型半導体レーザとの間の差などの構造設計にはいくらかの違いがある。半導体における電子 - 光学遷移によって引き起こされる光子刺激放出を使用することによって光発振器および光増幅器を生成するための一般的な用語である。レーザ発電はまた、以下の3つの基本条件を満たす必要がある.1。活性領域2内のキャリアの反転分布を確立する。適切な共振器は、刺激された放射線を複数回フィードバックしてレーザ振動を形成することを可能にする。 3.光学利得がさまざまな損失の合計以上であり、特定の電流閾値条件を満たすように十分に強い電流注入を提供します。

赤外線ビーム用の850nm半導体小型レーザーモジュール -レーザービーム銃のためのIRレーザーモジュール

IRレーザーの利点

まず、活性層が非常に小さいので、非常に低い作動閾値を得ることができる。材料技術が開発されている場合、非常に低い閾値または閾値発光装置のいなくても均一であることが予想され得る。

第二に、波長と閾値は温度変化に対して比較的鈍感である(もちろんVCSEL自体も半導体レーザの一種ではあるので、それには温度の影響の運命は逃げることはできない。温度変化に対するその波長の温度ドリフト係数はFPレーザーの0.3nm /℃/℃よりはるかに小さい約0.06nm /℃。)。

第3に、キャビティ長の大きさは波長、またはさらに小さい(半波長の大きさ)、長手方向モード間隔が大きく、単一の長手方向モード出力を実現することができる。

第4、より大きな緩和発振周波数を得ることができ、それによってより高い変調周波数を達成する。

光ファイバとカップルできるように、五番目の発信円形の光スポット。

6番目に、パッケージは単純であり、二次元レーザアレイを形成することができる。

7番目の作業寿命は10万時間以上です。

VCSEL.の応用

様々なシナリオでのアプリケーションを満たすために、片手でのアプリケーションを満たすために、高速、低消費電力、および広い動作温度範囲が、最適化と開発のための幅広い動作温度範囲を様々な光通信分野へのVCSELの商品化の侵入に伴い、光通信VCSEL VCSELレーザは、通信における高い変調帯域幅および伝送速度を有する。低消費電力化。より高い伝送チャネル密度とマルチレベル変調技術より広い動作温度範囲。より広いカバレッジバンド。一方、VCSELは、電力消費、製造コスト、統合、放熱などの利点を示しています。さまざまな分野における赤外線光学感知

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